導入Cascode結構 GaN FET打造高效率開關

作者: Eric Persson
2014 年 01 月 09 日
為提高高壓電源系統能源效率,半導體業者無不積極研發經濟型高性能功率場效應電晶體(FET);其中,採用Cascode結構的氮化鎵(GaN)FET,由於導通和開關損耗極低,且具備比矽FET出色的反向恢復(Qrr)特性,因而能顯著改善電源系統開關效率。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

提升研發/生產效率 熱影像儀助LED一臂之力

2010 年 07 月 22 日

電源管理效率升級 蕭特基二極體肩負重任

2011 年 09 月 29 日

確保電力傳輸穩定可靠 MCU扮磁感應無線充電系統要角

2014 年 03 月 13 日

主流創客平台新成員出列 96Board挑戰Raspberry Pi

2016 年 11 月 17 日

帶通模式護駕降功耗  ECU實現零開關雜訊供電

2020 年 05 月 04 日

優化生產流程增強永續性 數位工廠營運效率大漲

2024 年 09 月 23 日
前一篇
處理器廠強推參考設計 穿戴式裝置開發快狠準
下一篇
內建硬體加密/斷電保護功能 工業級SSD資料安全添保障